MA – Erstellung eines elektrisch-thermischen Simulationsmodells für SiC-MOSFET

Erstellung eines elektrisch-thermischen Simulationsmodells für SiC-MOSFET zur Bestimmung der Schalt- und Leitverluste bei Zero-Voltage-Switching

Im Rahmen dieser Masterarbeit ist ein elektrisch-thermisches Simulationsmodell für SiC-MOSFET zu erstellen. Das Modell soll in der Lage sein, die statischen und dynamischen Bauteileigenschaften möglichst innerhalb des gesamten zulässigen Betriebsbereichs (Chiptemperatur, SOA) abzubilden. Soweit sinnvoll und möglich, ist dabei auf physikalisch basierte Modellansätze zurückzugreifen. Das Modell ist auf mindestens einen konkreten SiC-MOSFET zu parametrieren und anhand von Schaltversuchen zu verifizieren.

Anhand des Modells sollen eingehende Untersuchungen zu den Schalt- und Leitverlusten im resonanten Betrieb, speziell für den Fall des Zero-Voltage-Switching (ZVS), durchgeführt werden. Dies beinhaltet z.B. die Untersuchung des Einflusses von Schaltentlastungskapazitäten, parasitären Induktivitäten und Gate-Widerständen. Die Simulationsergebnisse sind anhand von Messungen an einem vorhandenen Resonanzwandler zu verifizieren.

Bearbeiter: Erik Schuhmann

Betreuer: Dr. Stefan Waffler (Siemens Healthcare GmbH) – Telefon: 09131-849338

Verantwortlicher: Prof. Dr.-Ing. Martin März