FP – Verschiedene Bauteilgenerationen eines GaN-Leistungshalbleiters

Untersuchung verschiedener Bauteilgenerationen eines GaN-Leistungshalbleiters

In der Arbeit gilt, es die elektrischen Eigenschaften verschiedener Bauteilgenerationen eines GaN-Transistors zu vergleichen. Erste Untersuchungen lassen vermuten, dass die elektrischen Kenngrößen von kommerziellen GaN-Transistoren mit unterschiedlichem Fertigungsdatum stark abweichende elektrische Charakteristika aufweisen. Dies bringt in der Anwendung erhebliche Nachteile mit sich. Insbesondere wirkt sich eine Parallelschaltung solcher Transistoren im Betrieb nachteilig auf die Leistungsfähigkeit eines Schaltwandlers aus.

Im Rahmen der Untersuchungen sollen u.a. die Halbleiterkapazitäten miteinander verglichen werden. Des Weiteren soll an einem vorhandenen Messplatz die statische Strom-Spannungs-Charakteristik (bei einer Sperrschichttemperatur) der unterschiedlichen Generationen vermessen und miteinander verglichen werden. Abschießend sind anhand einer Doppelpulsmessung die Schaltkurven miteinander zu vergleichen. Eine Bewertung der Ergebnisse abhängig von den chronologischen Fertigungsdaten der Schalter schließt die Arbeit ab.

Bearbeiter: Denis Pauls

Betreuer: Achim Endruschat (Fraunhofer IISB) – Telefon: 09131-761322; Email: Achim.Endruschat@iisb.fraunhofer.de

Verantwortlicher: Prof. Dr.-Ing. Martin März