BA – Untersuchung des Einflusses des Gate-Emitter-Spannungsniveaus auf das Schaltverhalten eines IGBT-Moduls
Im Rahmen dieser Bachelorarbeit sollen IGBT-Leistungsmodule für den Spannungsbereich von 3,3 bis 6,5 kV, wie sie in Halb- oder Vollbrückenkonfiguration in HVDC- und SVC-Systemen zum Einsatz kommen, untersucht werden. Insbesondere interessiert der Einflusses des Gate-Emitter-Spannungsniveaus auf das Schaltverhalten des Moduls. Zur Verbesserung der Durchlasseigenschaften soll die Einschaltspannung am Gate der IGBTs angehoben werden. Die daraus resultierenden Auswirkungen auf das IGBT- und Diodenschaltverhalten sind zu untersuchen. Zur Einhaltung der Schaltrobustheit sind Maßnahmen, wie beispielsweise eine Gate-Widerstandsanpassung, vorzunehmen. Dazu ist ein Labormuster für die Ansteuerung (IGBT-Treiber) zu ertüchtigen sowie in einer Schaltversuchsmessung anzuwenden und zu bewerten.
Bearbeiter: Jama Anwar
Betreuer: Daniel Böhme (Siemens Energy)
Verantwortlicher: Prof. Dr.-Ing. Martin März