BA – Entwicklung eines Synchrongleichrichters für einen resonanten Gegentaktwandler mit einer Schaltfrequenz im MHz Bereich

Der Einsatz von Synchrongleichrichtern stellt ein wirkungsvolles Werkzeug zur Erhöhung der Effizienz von Gleichspannungswandlern dar. Durch Ausnutzung der ohmschen Charakteristik von MOSFETs (bzw. GaN HEMTs) kann im Vergleich zu Gleichrichterdioden die Flussspannung und damit die Leitendverlustleistung des Gleichrichters signifikant reduziert werden.

In dieser Arbeit sollen zunächst theoretische Untersuchungen zu den sich ergebenden Leitendphasen der synchron getakteten Schalter eines resonanten Gegentaktwandlers angestellt werden. Zur Verifizierung der Ergebnisse ist ein einfacher Hardwareaufbau zu entwickeln, bei dem die Schaltsignale für die Leistungshalbleiter manuell eingeprägt werden können. Abschließend soll die Schaltung in Betrieb genommen und hinsichtlich ihres Wirkungsgrads charakterisiert werden.

Bearbeiter: Dominik Reißlein

Betreuer: Nikolai Weitz

Für Studienfächer: EEI

Verantwortlicher: Prof. Dr.-Ing. Martin März