GaNius II
Im Rahmen der zweiten Phase des DFG Schwerpunktprogramms GaNius entwickelt die FAU gemeinsam mit der Universität Stuttgart „Hocheffiziente, isolierende Multi-MHz GaN-basierte DC-DC-Wandler mit aktiver Diodengleichrichtung”.
Galliumnitrid (GaN)-basierte Wandler, die mit Schaltfrequenzen im Radiofrequenzbereich (RF) zwischen 3 und 30 MHz arbeiten, versprechen eine deutlich erhöhte Leistungsdichte und Dynamik. Damit ermöglichen sie kleinste Schaltnetzteile und das Erschließen neuer Anwendungsfelder, etwa im Bereich der kapazitiven Leistungsübertragung.
Das neu bewilligte DFG-Projekt adressiert die beiden zentralen Hürden auf dem Weg zu so hohen Schaltfrequenzen: den Mangel an geeigneten Lösungen für hochintegrierte induktive Bauelemente und fehlende Lösungen für hocheffiziente Gleichrichter.
Der Lehrstuhl für Leistungselektronik wird sich mit der Entwicklung integrierter magnetischer Bauelemente für den RF-Frequenzbereich befassen, die Universität Stuttgart am Lehrstuhl von Prof. Ingmar Kallfass mit der Entwicklung neuartiger monolithisch integrierter aktiver Gleichrichterdioden auf Basis einer GaN IC-Technologie. Das Projekt umfasst an beiden Einrichtungen je einen Wissenschaftler für die kommenden drei Jahre.